BF823 |
RFQ for BF823 |
![]() |
| Technical/Catalog Information | BF823,215 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Power - Max | 250mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 5mA, 30mA |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SST3 (SOT-23-3) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Drawing Number | 568; SOT23; ; 3 |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BF823,215 BF823,215 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BF823 | - | - | 08+PBF |
Features |
| PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors especially suited for application in class- B video output stages of TV receivers and monitors.As complementary types, the NPN transistors BF820 and BF822 are recommended. |
|
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Collector-Base Voltage | BF821 BF823 |
-VCBO -VCBO |
300 250 |
V V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Collector-Emitter Voltage | BF823 |
-VCEO |
250 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Collector-Emitter Voltage | BF821 |
-VCER |
300 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Emitter-Base Voltage |
-VEBO |
5 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Collector Current |
-IC |
50 |
mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Peak Collector Current |
-ICM |
100 |
mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Power Dissipation at TSB = 50 °C |
Ptot |
3001) |
mW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Junction Temperature |
Tj |
150 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage Temperature Range |
TS |
65 to +150 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1) Device on
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